场效应管（FET）和三极管（BJT，双极结型晶体管）是两种常用的半导体器件，虽然都可用于放大和开关电路，但在工作原理、结构和特性上有本质区别，主要差异如下：

一、核心工作原理不同 - 三极管（BJT）：    属于电流控制型器件，通过基极电流（IB）控制集电极电流（IC），遵循关系IC = β·IB（β为电流放大倍数）。    其导电依赖两种载流子（电子和空穴）的运动（“双极”由此得名），例如NPN型三极管中，电子从发射极流向集电极，同时基区有少量空穴参与导电。 - 场效应管（FET）：    属于电压控制型器件，通过栅极电压（VGS）产生的电场控制漏极电流（ID），几乎不需要栅极电流（输入阻抗极高）。    其导电仅依赖一种载流子（电子或空穴）的运动（“单极”器件），例如N沟道FET仅靠电子导电，P沟道FET仅靠空穴导电。 二、结构与电极差异 - 三极管：    有三个电极：发射极（E）、基极（B）、集电极（C），内部包含两个PN结（发射结和集电结），结构分为NPN型和PNP型。    基区非常薄（微米级），且掺杂浓度低，这是实现电流放大的关键。 - 场效应管：    有三个电极：源极（S）、栅极（G）、漏极（D），核心结构是栅极与导电沟道之间的绝缘层（如MOSFET的SiO

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